Caractérisation d'interface de hétérojonctions a-Si:H/c-Si par spectroscopie de capacité sous polarisation directe - Université Pierre et Marie Curie Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Caractérisation d'interface de hétérojonctions a-Si:H/c-Si par spectroscopie de capacité sous polarisation directe

Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
J. Damon-Lacoste
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Y. Veschetti
  • Fonction : Auteur
P.J. Ribeyron
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321554

Soumis le : lundi 15 septembre 2008-12:04:18

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321554 , version 1 (15-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321554 , version 1

Citer

Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, J. Damon-Lacoste, Pere Roca I Cabarrocas, Y. Veschetti, et al.. Caractérisation d'interface de hétérojonctions a-Si:H/c-Si par spectroscopie de capacité sous polarisation directe. Séminaire ADEME-CEA-CNRS, 2005, France. ⟨hal-00321554⟩

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