Dependencia con la presion del indice de refraccion del AgGaS2
Résumé
En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presion del espectro de absorcion optica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energias del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinacion con la tecnica de micro-espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variacion de su indice de refraccion n en funcion de la presion, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2-6], asi como la variacion en presion de las constantes dielectricas estatica ("0) y de alta frecuencia ("1). Nuestros resultados del indice de refraccion a presion y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].