Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00602999
Soumis le : vendredi 24 juin 2011-09:02:33
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00602999 , version 1
Citer
B. Bercu, L. Montès, F. Rochette, M. Mouis, X. Xin, et al.. High mechanical stress applied to FD-SOI transistors using ultra thin Silicon membranes. International Semiconductor Conference, Oct 2009, Sinaia, Romania. pp.93-96. ⟨hal-00602999⟩
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