High mechanical stress applied to FD-SOI transistors using ultra thin Silicon membranes - Université Pierre et Marie Curie Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

High mechanical stress applied to FD-SOI transistors using ultra thin Silicon membranes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00602999 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00602999 , version 1

Citer

B. Bercu, L. Montès, F. Rochette, M. Mouis, X. Xin, et al.. High mechanical stress applied to FD-SOI transistors using ultra thin Silicon membranes. International Semiconductor Conference, Oct 2009, Sinaia, Romania. pp.93-96. ⟨hal-00602999⟩
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