Hydrogen Diffusion and Shallow Acceptor Passivation in p‐Type InP - Université Pierre et Marie Curie Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1989

Hydrogen Diffusion and Shallow Acceptor Passivation in p‐Type InP

A Jalil
  • Fonction : Auteur
Bertrand Theys
Jc Pesant
  • Fonction : Auteur
M Aucouturier
  • Fonction : Auteur
B Rose
  • Fonction : Auteur
C Kazmierski
  • Fonction : Auteur
A Mircea
  • Fonction : Auteur

Résumé

Hydrogen diffusion in InP:Zn, protected by an undoped GalnAs epilayer, has been performed from a hydrogen plasma exposure. Passivation of shallow acceptors occurs in the hydrogen diffused region of InP:Zn. Secondary ion mass spectrometry, transport measurements and thermal annealing experiments indicate the existence of neutral Zn,H pairs in InP:Zn,H. We find that these pairs have a relatively higher thermal stability than in GaAs:Zn. This is interpreted with the help of the microscopic description of the Zn,H complexes.
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Dates et versions

hal-01670945 , version 1 (18-01-2022)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

Citer

Jérome Chevalier, A Jalil, Bertrand Theys, Jc Pesant, M Aucouturier, et al.. Hydrogen Diffusion and Shallow Acceptor Passivation in p‐Type InP. Materials Science Forum, 1989, Unknown, Unknown Region. pp.991-996, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.38-41.991⟩. ⟨hal-01670945⟩
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