Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2014
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https://hal.science/hal-02555666
Soumis le : lundi 27 avril 2020-14:47:39
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:15
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02555666 , version 1
- BIBCODE : 2014JAP...116w4502M
- DOI : 10.1063/1.4903971
Citer
Diego Moro-Melgar, Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Beatriz Vasallo. Effect of tunnel injection through the Schottky gate on the static and noise behavior of GaInAs/AlInAs high electron mobility transistor. Journal of Applied Physics, 2014, 116 (23), pp.234502. ⟨10.1063/1.4903971⟩. ⟨hal-02555666⟩
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