ÉTUDE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X A TRÈS BASSES TEMPÉRATURES DES DÉPÔTS MÉTALLIQUES AMORPHES DE GALLIUM ET DE LEUR CRISTALLISATION

A. Bererhi , Louis Bosio (1) , Robert Cortès (1) , A. Defrain (1)

1 LISE - Laboratoire Interfaces et Systèmes Electrochimiques

Nous montrons qu'il est possible d'obtenir des dépôts de gallium amorphe dont l'épaisseur dépasse 10 µm ; ce qui permet d'en faire l'étude par diffraction des rayons X. Sur les courbes d'intensité réduite, le pic adjoint au pic principal apparaît très nettement accentué. La cristallisation de ces dépôts se fait vers 15 K en la forme métastable Gaβ. Des mesures de supraconduction faites simultanément permettent d'expliquer en partie, par l'existence de phases cristallines métastables, la dispersion des divers résultats publiés.

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A. Bererhi, Louis Bosio, Robert Cortès, A. Defrain. ÉTUDE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X A TRÈS BASSES TEMPÉRATURES DES DÉPÔTS MÉTALLIQUES AMORPHES DE GALLIUM ET DE LEUR CRISTALLISATION. Journal de Physique Colloques, 1975, 36 (C2), pp.C2-79-C2-82. ⟨10.1051/jphyscol:1975216⟩. ⟨jpa-00216263⟩