Dependence of the carrier lifetime on acceptor concentration in GaAs grown at low-temperature under different growth and annealing conditions - ENSTA Paris - École nationale supérieure de techniques avancées Paris Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2000

Dependence of the carrier lifetime on acceptor concentration in GaAs grown at low-temperature under different growth and annealing conditions

M. Stellmacher
  • Fonction : Auteur
J. Nagle
  • Fonction : Auteur
Jean-Francois Lampin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
P. Santoro
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'optique appliquée
J. Vaneecloo
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'optique appliquée
Antigoni Alexandrou
Laboratoire d'optique appliquée

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https://hal.science/hal-00158228

Soumis le : jeudi 28 juin 2007-11:43:30

Dernière modification le : jeudi 15 février 2024-12:10:46

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158228 , version 1 (28-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158228 , version 1

Citer

M. Stellmacher, J. Nagle, Jean-Francois Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, et al.. Dependence of the carrier lifetime on acceptor concentration in GaAs grown at low-temperature under different growth and annealing conditions. Journal of Applied Physics, 2000, 88, pp.6026-6031. ⟨hal-00158228⟩

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